삼성전자는 26일 기존 그래픽 메모리에 비해 정보처리 속도를 무려 65% 이상 향상시킨 새로운 512Mb GDDR4 메모리칩을 개발했다고 밝혔다.
삼성전자는 신형 그래픽 메모리 생산에 80나노 회로 공정을 적용했다면서 이달부터 메모리 샘플을 엔비디아 등 주요 고객사에 배포하기 시작, 본격적인 양산은 하반기에 시작할 계획인 것으로 알려졌다.
회사측은 "신형 그래픽 메모리를 적용하면 애니메이션의 동작을 더욱 정교하고 생생하게 다듬을 수 있고 컴퓨터 게임과 그래픽 디자인 프로그램 등의 속도를 획기적으로 개선할 수 있다"고 말했다.
이번 신형 메모리 개발로 삼성전자는 대용량 이미지 처리가 필요한 그래픽 및 게임기 시장에서 고속 그래픽 메모리 부문에 신 시장을 형성할 수 있을 것으로 기대하고 있다.
삼성전자 관계자는 언론을 통해 "전문가들은 신형 그래픽 메모리가 고사양 그래픽 메모리 시장을 향후 12-18개월 가량 이끌 수 있을 것으로 보고 있다"고 말했다.
한편 삼성전자는 2000년 GDDR, 2002년 GDDR2, 2003년 GDDR3, 2005년 10월 256Mb GDDR4를 업계 최초로 개발했으며 지난해 중순부터 2.4Gb의 속도를 갖는 GDDR4를 양산하며 그래픽 메모리 분야를 주도하고 있다. ⓢ
댓글을 달아 주세요