이 제품은 EEPROM를 탑재한 스마트카드 칩으로는 최초로 90나노 공정을 적용했다고 삼성전자는 소개했다.
EEPROM은 전기적으로 데이터를 쓰고 지울 수 있으며, 전원공급이 끊겨도 저장된 정보를 보관하는 비휘발성 메모리이다.
삼성전자는 이달부터 샘플을 고객사에 공급하기 시작했으며 올해 말 양산에 돌입한다.
이번에 개발한 제품은 288KB EEPROM과 함께 삼성전자가 자체 개발한 고성능 CPU 기반에 16.5KB S램과 384KB 롬을 탑재해 저장 용량을 높인 것이 특징이다.
또 사용자 인증작업은 더욱 빠르게 하고 변조나 해킹 방지 등 보안 성능은 강화했다.
삼성전자는 이번에 288KB EEPROM 외에도 72KBㆍ144KB EEPROM이 내장된 스마트카드 칩도 함께 개발함으로써 다양한 고객의 요구에 대응할 수 있는 제품 포트폴리오를 갖추게 됐다고 말했다.
정칠희 삼성전자 시스템LSI 사업부 전무는 "앞선 미세회로 공정과 보안 프로세서를 적용한 고성능 제품을 지속적으로 선행 개발하고, 다양한제품 라인업을 제공함으로써 향후 시장을 선도해 나갈 계획"이라고 밝혔다.
삼성전자는 이번에 개발한 90나노 EEPROM 신제품 3종을 이 달부터 국내외 스마트카드 업체에 샘플로 공급하기 시작해 올해 말 본격 양산할 예정이다.
또 90나노 공정 기술이 적용된 320KBㆍ410KB 플래시메모리 내장형 스마트카드 칩은 오는 11월, 12월에 각각 샘플로 공급할 예정이다.
한편 삼성전자는 2000년부터 본격적으로 스마트카드 칩 양산에 돌입해 2006년에 세계 최초로 업계 최대 용량인 1GB 가입자인증모듈(SIM) 카드 제품을 개발한 바 있다.
삼성전자는 특히 2006년부터 SIM 카드용 스마트카드 칩 분야에서 세계 시장점유율 1위를 유지해오고 있으며 2007년에는 콤비 타입 스마트카드 칩 제품 2종에 대해 CC(Common Criteria) 보안 인증을 획득하는 등 기술 리더십을 증명해 왔다.
최근 발표된 가트너 등 시장조사기관에 따르면 출하량 기준으로 2007년 스마트카드 칩 전체 시장에서도 1위 자리에 올랐다.
한편 시장 조사기관 프로스트앤설리반(Frost&Sullivan)에 따르면 스마트카드 수요는 올해 약 40억7000만 개에서 2012년 약 75억3000만 개 규모로증가, 연평균 약 17% 성장할 전망이다.
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